据韩国媒体Business Korea报导，三星电子已于第四季度在平泽P2厂修复10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单旅途线”（one path），预期来岁第一季度将全齐建成。

报说念称，测试产线是测试新半导体居品量产潜质的范例，一朝下一代芯片性能在研发阶段时详情，就会在此引进晶圆，运行提高量产良率。目下还不祥情三星平泽10nm级第七代DRAM厂房的界限，但经常装置测试产线每月可处理约1万片晶圆。

三星本年3月在好意思国举行的“MemCon 2024”作为中曾文牍，计较在2026年前量产第七代DRAM，至于其前身第六代（1c）DRAM，计较来岁（2025年）量产。因此，这条第七代测试线与第六代DRAM量产的准备责任同步进行。

三星计较明岁首运行以平泽P4厂为中心引进半导体招引，分娩10nm级第六代DRAM，并加速良率扶持的脚步，见识是来岁5月前获取里面量产认证（PRA）。此外，为了成功第六代DRAM量产，三星还将DRAM接头东说念主员从华城厂调派至平泽厂。

也即是说，三星在第六代DRAM还没干涉量产阶段前，就如故运步履第七代DRAM建置厂房。外界觉得，三星此举是为来岁重夺上风而提前进行投资。

作念为各人DRAM制造龙头大厂，三星这两年遇到很大的打击，很是是在AI所需的HBM（高带宽内存）商场，SK海力士的商场份额大幅跨越于三星。此外，在10nm级第六代DRAM的开发速率上，三星也过期于SK海力士。

关于三星来说，若是要夺回引导地位，必须加速居品的开发速率，这从三星的新东说念主事变动不错窥豹一斑。

三星电子副董事长全永铉（Jeon Young-hyun）从半导体业务的招引处治决策（DS）认真东说念主改为CEO，同期兼任內存业务和三星空洞工夫院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）认真东说念主。他以巨大驱能源著称，预期将斗胆鼓励三星工夫开发和投资。

业界东说念主士阐明，全永铉当今不错更密切地参与三星DRAM工夫，展望他会从主力居品DRAM运行强力编削。

三星电子也加速投资另一种內存NAND闪存，最近该公司在平泽一厂装置业界第一条400层NAND（V10）测试线，并在平泽四厂NAND厂房添置286层V9招引。

剪辑：芯智讯-浪客剑欧洲杯体育